经过两年调整,DRAM存储芯片也要涨价啦!

2021-02-23 14:58:10
陈炳欣
文章摘要: 2021年,丰富的移动应用将产生海量的数据,对高带宽、低功耗内存(如LPDDR5)的需求不断增长,而低功耗内存对于以低功耗实现计算密集型的应用非常重要。未来几年,人们将看到5G技术带来新的、更优化的远程医疗、远程学习和虚拟娱乐等应用。而这些应用都对内存提出更高的需求。

去年年底,在一轮缺货行情的推动下,多类芯片如车用MCU、电源管理IC等的价格均出现上涨,然而在半导体细分产品中销售占比最大的DRAM,价格却一直保持稳定,甚至在去年年中还有小幅下降。不过,美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana日前表示,2021年DRAM产业将受惠5G带动相关应用,加上车用快速回温,DRAM将供不应求。韩国NH证券分析师也称1月份的DRAM合约价格同比上涨了5%,这是自2020年5月以来的首次上涨。随着价格上涨,DRAM产业有望在2021年掀起一轮新的竞争。

DRAM市场有望触底反弹

ICInsights近日发布2021年版《麦克林报告》(The McClean Report),预计DRAM将成为2021年增长最快的产品领域之一,销售额将增长18%。值得注意的是,在2013年、2014年、2017年和2018年,DRAM均为增长最快的半导体细分产品。而在经过2019和2020的两年调整之后,2021年DRAM市场有望迎来高增长。

集邦咨询同样表示,在历经超过两个季度的库存调整之后,2021年第一季度预计买方将开始提高库存水位,使DRAM的价格获得支撑。整体DRAM的平均销售单价将止跌回稳,甚至有微幅上涨的可能。

来自存储芯片厂商的信息同样乐观。SK海力士在财报会上预测,2021年企业在数据中心上的投资将推动服务器用DRAM需求的增加。同时,2021年5G智能手机的出货量将会摆脱新冠肺炎疫情的影响,推动移动端DRAM需求增长。

其实,利基型(定制化、高毛利)DRAM的价格早有上涨。在供给吃紧下,利基型DRAM需求在去年第四季度便迎来调整,业者相继涨价,部分现货产品涨幅达到15%。据报道,2021年第一季度利基型DRAM的现货价格涨幅进一步扩大至两成。

1Q21 DRAM价格预测表

之所以DRAM价格出现上涨,与2021年市场需求回暖有着重要关系。美光科技移动产品事业部高级副总裁兼总经理Raj Talluri表示,2021年,丰富的移动应用将产生海量的数据,对高带宽、低功耗内存(如LPDDR5)的需求不断增长,而低功耗内存对于以低功耗实现计算密集型的应用非常重要。未来几年,人们将看到5G技术带来新的、更优化的远程医疗、远程学习和虚拟娱乐等应用。而这些应用都对内存提出更高的需求。

美光科技企业副总裁兼消费类产品和元件部门总经理DineshBahal则看好VR、游戏等新兴应用对存储市场的带动作用。“在未来几年中,得益于5G网络广泛普及,以及下一代VR头盔中嵌入式计算和内存的推动,我们预计VR将获得广泛应用。这将使VR体验摆脱PC束缚,为用户提供高清、全沉浸式体验。随着云计算和多人游戏的日益流行,PCIe将从小众走向主流,其采用率将翻番。固态硬盘的平均容量将会翻倍,而随着游戏玩家希望固态硬盘能够带来更好的性能和速度,传统机械硬盘将被边缘化,甚至被弃用。”Dinesh Bahal说。

更重要的是,在需求增长的同时,主要DRAM厂商三星、SK海力士和美光科技等库存回到合理水位,原买盘趋缓的数据中心市场开始增备库存,使得DRAM供应吃紧,带动了DRAM合约价的提升。整体而言,集邦咨询认为,价格落底、产能趋紧等因素导致市场对于提前备货的共识显著提高。

DRAM技术将有重大突破

随着DRAM价格的企稳回涨,新一轮竞争也将在在2021年展开。日前,美光科技宣布批量出货基于1α(10-11nm)节点的DRAM产品。这是目前世界上最为先进的DRAM技术,在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。对比上一代的1z DRAM工艺,1α技术将内存密度提升了40%。SK海力士经营支援担当兼CFO卢钟元表示:“鉴于去年新冠肺炎疫情及国际贸易纠纷的激化,存储器市况展现了较为低迷的趋势。然而SK海力士成功保障了1z纳米级DRAM及128层NAND闪存等主力产品的稳定生产。”展望2021年的DRAM市场,SK海力士同样计划在年内投资生产性更高的1α节点DRAM,以提高公司的成本竞争力。另据报道,SK海力士已开始在韩国利川的M16工厂安装EUV光刻机,为量产1α节点DRAM做准备。海力士计划从2021年起将EUV应用于1αDRAM,2022年将EUV应用于更新一代的1βDRAM。

在导入新技术的同时,三星、海力士和美光科技在投资扩产上则持谨慎态度。据悉,三星2021年面向DRAM的资本支出计划与2020年持平,但会将一些DRAM产线转为图像传感器产线。这意味着,三星实际上削减了2021年的DRAM资本支出。SK海力士也同样持保守态度,不会增加DRAM晶圆资本支出。加快新技术的导入,却保持产能不会过快增长,这为DRAM的价格上涨提供了基础。

中国DRAM厂商或有大机会

DRAM市场回升也给中国DRAM带来更多机会。IC Insights的报告显示,2021年增长最快的产品领域就是存储,其中DRAM更是拔得头筹,预计销售额增长18%。从本土存储厂商的布局来看,长鑫存储于2019年第三季度成功量产19nm(1x)节点的DDR4/LPDDR4X芯片。预计长鑫存储接下来将推出17nm DDR5/LPDDR5等产品。集邦咨询研究副总经理郭祚荣在“2020-2021年全球内存厂商晶圆投片量”中预估,长鑫存储2020年第一季度投片量为1万片/月,第四季度投片量已提升到4.5万片/月,至2021年第四季度,预计长鑫存储的投片量将达到8.5万片/月。

此外,兆易创新于2月8日发布关于拟签署框架采购协议公告,预计2021年度采购DRAM产品、产品联合开发平台合作额度分别为3亿美元、3000万元人民币。兆易创新表示,预计上半年公司会有自研DRAM产品推出。兆易创新将研发1x(19nm、17nm)工艺下的DRAM技术,设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。

在这一轮市场趋涨的行情推动下,国内存储芯片无疑将有更多机会,更加容易进入目标市场。集微咨询高级分析师陈跃楠认为:“未来的3到5年十分关键。随着5G驱动下智能手机迎来换机周期,智能手机的单机内存搭载量提升,再叠加考虑服务器需求景气度提高,下半年游戏机新产品带来的增量需求,以及物联网快速落地衍生出大量的终端需求,未来存储行业需求容量增速有望提升。”

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